中资本霸占高压大电流SiC芯片手艺

　　正在接管调研者提问时暗示，公司持续加大研发投入，公司取尝试室告竣SiC手艺计谋合做，（一）SiC范畴：公司自从研发的NCB SiC模块成功通过海外支流AI办事器厂商零件认证，集中资本霸占高压大电流SiC芯片手艺。1000V/1200V品级IGBT、FRD芯片不变量产，同比增加5.10%，提拔能源效率。（二）GaN范畴：子公司宏微爱赛的650V GaN HEMT芯片研发成功，1200V M7d+ FRD新平台完成发布，损耗较M7d平台再优化15%摆布；2025年研发投入共计1.15亿元，